模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)
- 所屬分類：
高等理工教..
- 作者：
（美）拉扎維 著，陳貴燦 等譯
- 出版社：
西安交通大學(xué)出版社
- ISBN：9787560516066
- 出版日期：2003-2-1
-
原價(jià)：
￥65.00元
現(xiàn)價(jià)：￥52.00元
-
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圖書簡(jiǎn)介
臼槭羌又荽笱?逕柬斗中＃║CLA）的新教材。該書組織嚴(yán)謹(jǐn)，內(nèi)容豐富，循序漸進(jìn)。在闡述原理和概念時(shí)，由淺入深，逐步分析。模擬電路設(shè)計(jì)需要直觀、嚴(yán)密和創(chuàng)新。在闡述各種模擬電路的改進(jìn)和新電路結(jié)構(gòu)的產(chǎn)生時(shí)，著重觀察和分析，不斷地提出問題和解決問題，重視這三方面能力的培養(yǎng)。
目錄
本書介紹模擬CMOS集成電路的分析與設(shè)計(jì)。從直觀和嚴(yán)密的角度闡述了各種模擬電路的基本原理和概念，同時(shí)還闡述了在SOC中模擬電路設(shè)計(jì)遇到的新問題及電路技術(shù)的新發(fā)展。本書由淺入深，理論與實(shí)際結(jié)合，提供了大量現(xiàn)代工業(yè)中的設(shè)計(jì)實(shí)例。全書共18章。前10章介紹各種基本模塊和運(yùn)放及其頻率響應(yīng)和噪聲。第11章至第13章介紹帶隙基準(zhǔn)、開關(guān)電容電路以及電路的非線性和失配的影響，第14、15章介紹振蕩器和沒相環(huán)。第16章至18章介紹MOS器件的高階效應(yīng)及其模型、CMOS制造工藝和混合信號(hào)電路的版圖與封裝。
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