長春理工大學理學院2015考研復試大綱：集成電路工藝原理

• 2026考研英語全程班 6班
• 26考研全科上岸規劃營「擇校▪規劃▪備考」
• 長春理工大學2026考研專業課復習資料「真題▪筆記▪講義▪題庫」

一、適用專業：

集成電路工程

二、參考書目：

1.關旭東.硅集成電路工藝基礎.第一版.北京：北京大學出版社（2003.10）

三、考試內容與基本要求：

第一章

內容：硅的晶體結構及半導體材料制備方法。

要求：掌握基本概念及半導體材料制備工藝流程。

第二章

內容：晶體管工藝結構、集成電路工藝結構、集成電路平面工藝流程。

要求：掌握器件結構圖及主要工藝過程。

第三章

內容：SiO2的結構及性質及氧化工藝原理。

要求：掌握基本概念及工藝流程，氧化層厚度計算。

第四章

內容：擴散系數與擴散方程、擴散工藝與設備。

要求：掌握基本概念及工藝流程，擴散結深的計算。

第五章

內容：硅氣相外延的基本原理、雜質分布、外延工藝過程及設備。

要求：掌握基本概念及工藝流程。

第六章

內容：離子注入工藝原理。

要求：掌握基本工藝流程、注入結深與雜質分布等的計算。

第七章

內容：光刻工藝流程、光刻膠屬性及曝光技術。

要求：掌握基本工藝流程及主要曝光技術。

第八章

內容：光刻掩模版制備工藝原理及掩模版制備工藝過程。

要求：掌握工藝原理及工作流程。