北京工業大學信息學部電子科學與技術研究生導師：朱慧

• 2025考研復試標準班
• 26考研全科上岸規劃營「擇校▪規劃▪備考」
• 北京工業大學2026考研專業課復習資料「真題▪筆記▪講義▪題庫」

北京工業大學信息學部電子科學與技術研究生導師朱慧介紹如下：

一、基本情況： 朱慧（1980-），女，博士，副教授，碩士生導師。 2003年畢業于中國礦業大學（北京）材料科學與工程專業，獲得學士學位。同年赴英國劍橋大學學習，2004年畢業于劍橋大學材料專業，獲得碩士學位，2010年畢業于劍橋大學電子工程專業，獲得博士學位。2011年至今在北京工業大學工作。

二、主要研究方向：新型非揮發性存儲器（鐵電薄膜存儲器、阻變存儲器等），新型半導體器件可靠性機理。

三、主持科研項目：主持國家自然科學基金、北京市自然科學基金、教育部博士點學科專項科研基金、教育部留學回國人員科研啟動基金、北京市教育委員會科技計劃一般項目等多個科研項目。1、鐵電薄膜應用于鐵電隨機存儲器的失效機理研究，國家自然科學基金青年項目，2013-2015；2、GaN HEMT 中的殘余應力以及應力對器件性能的影響，北京市自然科學基金面上項目，2012-2014；3、鐵電薄膜應用于鐵電隨機存儲器的失效機理研究，2013-2015，教育部博士點學科專項科研基金；4、鐵電薄膜應用于鐵電隨機存儲器的失效機理研究，教育部留學回國人員科研啟動基金，2013-2015；5、應力對于鐵電薄膜電學性能影響的研究，北京市教育委員會科技計劃一般項目，2016-2017；6、AlGaN/GaN HEMT 的應力效應及其影響機理的研究，北京市自然科學基金面上項目，2016-2018。

四、代表性科研論文：1. Effect of poling process on resistive switching in Au/BiFeO3/SrRuO3 structures, H. Zhu, Y. Zhang, et al. Applied Physics Letters 109, 252901 (2016), SCI; 2. Investigation of fatigue behavior of Pb(Zr0.45Ti0.55)O3 thin films, H. Zhu, Y. Chen, et al. Japanese Journal of Applied Physics 55, 091501 (2016), SCI; 3. The effect of external stress on the electrical characteristics AlGaN/GaN HEMTs, K. Liu, H. Zhu, et al. Microelectronics Reliability 55, 886 (2015), SCI; 4. The effect of external stress on the properties of AlGaAs/GaAs single quantum well laser diodes, H. Zhu, K. Liu, et al. Microelectronics Reliability 55, 62 (2015), SCI; 5. Measurement of residual stresses in ferroelectric Pb(Zr0.3Ti0.7)O3 thin films by x-ray diffraction, H. Zhu, D. Chu, et al. Japanese Journal of Applied Physics, 52, 128004 (2013), SCI; 6. Polarization switching induced decrease of bulk resistivity in ferroelectric Pb(Zr0.45Ti0.55)O3 thin films and a method to improve their fatigue endurance, H. Zhu, D. Chu, et al. Chinese Physics Letters, 30, 127702 (2013), SCI; 7. A study of capacitance–voltage characteristics of lead zirconate titanate ferroelectric thin films and their usage to investigate polarization and coercive field, H. Zhu, D. Chu, et al. Journal of Physics: Condensed Matter 23, 495901 (2011), SCI; 8. Polarization change in ferroelectric thin film capacitors under external stress, H. Zhu, D. Chu, et al. Journal of Applied Physics 105, 061609 (2009), SCI; 9. Polarization change of PZTN ferroelectric thin films under uniform in-plane tensile stress, Integrated Ferroelectrics 95, 117 (2007), SCI.

五、聯系方式：

電話：010-67396955，

E-mail: zhuhui@bjut.edu.cn，

地址：北京市朝陽區平樂園100號北京工業大學電子信息與控制工程學院（郵編100124）