西安電子科技大學(xué)2018年集成電路與半導(dǎo)體物理考研大綱

• 2026考研英語全程班 6班
• 26考研全科上岸規(guī)劃營「擇校▪規(guī)劃▪備考」
• 西安電子科技大學(xué)2026考研專業(yè)課復(fù)習(xí)資料「真題▪筆記▪講義▪題庫」

　

研究生入學(xué)考試復(fù)習(xí)大綱

“集成電路與半導(dǎo)體物理”(802)

一、總體要求

“集成電路與半導(dǎo)體物理”(802)由數(shù)字集成電路和半導(dǎo)體物理二部分組成，其中集成電路占40%(60分)，半導(dǎo)體物理占60%(90分)。

“數(shù)字集成電路”要求學(xué)生應(yīng)深入理解數(shù)字集成電路的相關(guān)基礎(chǔ)理論，掌握數(shù)字集成電路電路、系統(tǒng)及其設(shè)計(jì)方法。重點(diǎn)掌握數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)的質(zhì)量評價(jià)、相關(guān)參量;能夠設(shè)計(jì)并定量分析數(shù)字集成電路的核心——反相器的完整性、性能和能量指標(biāo);掌握CMOS組合邏輯門的設(shè)計(jì)、優(yōu)化和評價(jià)指標(biāo);掌握基本時序邏輯電路的設(shè)計(jì)、優(yōu)化、不同形式時序器件各自的特點(diǎn)，時鐘的設(shè)計(jì)策略和影響因素;定性了解MOS器件;掌握并能夠量化芯片內(nèi)部互連線參數(shù)。

“半導(dǎo)體物理”要求學(xué)生熟練掌握半導(dǎo)體的相關(guān)基礎(chǔ)理論，了解半導(dǎo)體性質(zhì)以及受外界因素的影響及其變化規(guī)律。重點(diǎn)掌握半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和帶、半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷能級、半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性、半導(dǎo)體中的非平衡載流子等相關(guān)知識、基本概念及相關(guān)理論，掌握半導(dǎo)體中載流子濃度計(jì)算、電阻(導(dǎo))率計(jì)算以及運(yùn)用連續(xù)性方程解決載流子濃度隨時間或位置的變化及其分布規(guī)律等。

“集成電路與半導(dǎo)體物理”(802)研究生入學(xué)考試是所學(xué)知識的總結(jié)性考試，考試水平應(yīng)達(dá)到或超過本科專業(yè)相應(yīng)的課程要求水平。

二、各部分復(fù)習(xí)要點(diǎn)

●“數(shù)字集成電路”部分各章復(fù)習(xí)要點(diǎn)

“數(shù)字集成電路”考試范圍及要點(diǎn)包括：數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)質(zhì)量評價(jià)的基本要素;CMOS集成電路設(shè)計(jì)規(guī)則與工藝縮小;二極管基本結(jié)構(gòu)、參數(shù)、靜態(tài)特性、動態(tài)特性、二極管分析模型;MOS晶體管基本結(jié)構(gòu)、閾值電壓、亞閾值特性、工作區(qū)、溝道長度調(diào)制、速度飽和、MOS晶體管分析模型;反相器靜態(tài)特性、開關(guān)閾值、噪聲容限、穩(wěn)定性，反相器動態(tài)特性、電容構(gòu)成，傳播延遲分析與尺寸計(jì)算、反相器靜態(tài)功耗、動態(tài)功耗;靜態(tài)互補(bǔ)CMOS組合邏輯門設(shè)計(jì)、尺寸設(shè)計(jì)、延遲計(jì)算與優(yōu)化，有比邏輯基本原理、傳輸管邏輯基本原理;動態(tài)CMOS設(shè)計(jì)基本原理、信號完整性問題及其速度與功耗;時序邏輯器件時間參數(shù)、靜態(tài)鎖存器和寄存器的工作原理、C2MOS寄存器結(jié)構(gòu)與特性;時鐘的設(shè)計(jì)策略和影響因素;導(dǎo)線中的傳輸線效應(yīng)，電容寄生效應(yīng)、電阻寄生效應(yīng)。

(一)數(shù)字集成電路基本概念和質(zhì)量評價(jià)

1.復(fù)習(xí)內(nèi)容

數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)中的基本概念、面臨問題和質(zhì)量評價(jià)標(biāo)準(zhǔn)

2.具體要求

設(shè)計(jì)約束

時鐘設(shè)計(jì)

電源網(wǎng)絡(luò)

設(shè)計(jì)質(zhì)量評定標(biāo)準(zhǔn)

集成電路成本構(gòu)成

電壓傳輸特性

噪聲容限

再生性

扇入扇出

傳播延遲

功耗、能耗

設(shè)計(jì)規(guī)則

標(biāo)準(zhǔn)單元

工藝偏差

工藝尺寸縮小

封裝

(二)器件

1.復(fù)習(xí)內(nèi)容

定性了解二極管、MOS晶體管，理解其工作原理，靜態(tài)特性、動態(tài)特性;掌握SPICE模型和手工分析模型。

2.具體要求

二極管結(jié)構(gòu)

二極管靜態(tài)特性

二極管動態(tài)特性

二極管手工分析模型

二極管SPICE模型

MOS晶體管結(jié)構(gòu)

MOS晶體管工作區(qū)

MOS晶體管靜態(tài)特性、閾值電壓、溝道長度調(diào)制、速度飽和

MOS晶體管亞閾值特性

MOS晶體管動態(tài)特性

MOS晶體管電容構(gòu)成

熱載流子效應(yīng)

CMOS閂鎖效應(yīng)

MOS晶體管SPICE模型

MOS晶體管手工分析模型

(三)導(dǎo)線

1.復(fù)習(xí)內(nèi)容

互連線的電路模型，SPICE模型，確定并定量化互連參數(shù);傳輸線效應(yīng);互連線的信號完整性

2.具體要求

互連參數(shù)

互連線電容寄生效應(yīng)

互連線電阻寄生效應(yīng)

互連線電感寄生效應(yīng)

趨膚效應(yīng)

互連線集總模型

互連線分布模型

(四)CMOS反相器

1.復(fù)習(xí)內(nèi)容

反相器設(shè)計(jì);反相器完整性、性能、能量指標(biāo)的定量分析及其優(yōu)化。

2.具體要求

CMOS反相器靜態(tài)特性、開關(guān)閾值、噪聲容限、穩(wěn)定性

CMOS反相器動態(tài)特性

CMOS反相器電容計(jì)算

CMOS反相器傳播延遲分析

CMOS反相器網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)

CMOS反相器功耗、動態(tài)功耗、靜態(tài)功耗

MOS反相器低功耗設(shè)計(jì)技術(shù)

能量延時積

(五)CMOS組合邏輯門設(shè)計(jì)

1.復(fù)習(xí)內(nèi)容

掌握CMOS邏輯設(shè)計(jì)，包括動態(tài)和靜態(tài)邏輯、傳輸管邏輯、無比邏輯、有比邏輯;能夠優(yōu)化CMOS邏輯的管子尺寸、面積、速度、穩(wěn)定性和能耗;掌握低功耗邏輯設(shè)計(jì)技術(shù)

2.具體要求

靜態(tài)互補(bǔ)CMOS設(shè)計(jì)、靜態(tài)特性、傳播延時、尺寸設(shè)計(jì)與性能優(yōu)化

有比邏輯概念

傳輸管邏輯概念、傳輸特性、穩(wěn)定性、性能

動態(tài)邏輯基本原理、速度、功耗、信號完整性

多米諾邏輯概念、設(shè)計(jì)、優(yōu)化

(六)時序邏輯電路設(shè)計(jì)

1.復(fù)習(xí)內(nèi)容

時序邏輯基本部件——寄存器、鎖存器、觸發(fā)器設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)技術(shù);靜態(tài)、動態(tài)時序邏輯比較;振蕩器、施密特觸發(fā)器設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)技術(shù);時鐘策略

2.具體要求

時序電路的時間參數(shù):：建立時間、保持時間、傳播延時

雙穩(wěn)態(tài)原理

多路開關(guān)性鎖存器

主從邊沿觸發(fā)寄存器

靜態(tài)SR觸發(fā)器

動態(tài)傳輸門邊沿觸發(fā)寄存器

C2MOS寄存器

真單相鐘控寄存器

脈沖寄存器

流水線概念

流水線型邏輯

施密特觸發(fā)器

單穩(wěn)時序電路

不穩(wěn)電路

時鐘策略、時鐘偏差、時鐘抖動、時鐘誤差來源

●“半導(dǎo)體物理”部分各章復(fù)習(xí)要點(diǎn)

(一)半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)

1.復(fù)習(xí)內(nèi)容

半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)與化學(xué)鍵性質(zhì)，半導(dǎo)體中電子狀態(tài)與能帶，電子的運(yùn)動與有效質(zhì)量，空穴，回旋共振，元素半導(dǎo)體和典型化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)。

2.具體要求

半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶

半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動和有效質(zhì)量

本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)

空穴的概念

回旋共振及其實(shí)驗(yàn)結(jié)果

Si、Ge和典型化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)

(二)半導(dǎo)體中雜志和缺陷能級

1.復(fù)習(xí)內(nèi)容

元素半導(dǎo)體中的雜質(zhì)能級，化合物半導(dǎo)體中的雜質(zhì)能級、位錯和缺陷能級。

2.具體要求

Si和Ge晶體中的雜質(zhì)能級

雜質(zhì)的補(bǔ)償作用

深能級雜質(zhì)

Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體中的雜質(zhì)能級

等電子雜質(zhì)與等電子陷阱

半導(dǎo)體中的缺陷與位錯能級

(三)半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布

1.復(fù)習(xí)內(nèi)容

狀態(tài)密度，F(xiàn)ermi能級，載流子統(tǒng)計(jì)分布，本征和雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度，補(bǔ)償半導(dǎo)體的載流子濃度，簡并半導(dǎo)體

2.具體要求

狀態(tài)密度的定義與計(jì)算

費(fèi)米能級和載流子的統(tǒng)計(jì)分布

本征半導(dǎo)體的載流子濃度

雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度

雜質(zhì)補(bǔ)償半導(dǎo)體的載流子濃度

簡并半導(dǎo)體及其載流子濃度、簡并化條件、簡并半導(dǎo)體的特點(diǎn)與雜質(zhì)帶導(dǎo)電

載流子濃度的分析計(jì)算方法及其影響載流子濃度的因素

(四)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性

1.復(fù)習(xí)內(nèi)容

載流子的漂移運(yùn)動，遷移率，載流子的散射，遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系，電阻率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系，強(qiáng)場效應(yīng)與熱載流子

2.具體要求

載流子漂移運(yùn)動

遷移率

載流子散射

半導(dǎo)體中的各種散射機(jī)制

遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系

電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系

強(qiáng)電場下的效應(yīng)

高場疇區(qū)與Gunn效應(yīng);

(五)非平衡載流子

1.復(fù)習(xí)內(nèi)容

非平衡載流子的產(chǎn)生與復(fù)合，非平衡載流子壽命，準(zhǔn)費(fèi)米能級，復(fù)合理論，陷阱效應(yīng)，非平衡載流子載流子的擴(kuò)散與漂移，愛因斯坦關(guān)系，連續(xù)性方程。

2.具體要求

非平衡載流子的注入與復(fù)合

準(zhǔn)費(fèi)米能級

非平衡載流子的壽命

復(fù)合理論

陷阱效應(yīng)

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動

載流子的漂移運(yùn)動

Einstein關(guān)系

連續(xù)性方程的建立及其應(yīng)用

三、試卷結(jié)構(gòu)與考試方式

1、題型結(jié)構(gòu)：名詞解釋、簡答題、問答題、計(jì)算題、判斷題、繪圖題等。試卷滿分為150分。

2、考試方式：閉卷，考試必須按照規(guī)定攜帶不具備編程和存儲功能的函數(shù)計(jì)算器。

3、考試時間：180分鐘

四、參考書目

1、《數(shù)字集成電路—電路、系統(tǒng)與設(shè)計(jì)》(第二版)，Rabaey等著，周潤德等譯，電子工業(yè)出版社 2010年。

2、《半導(dǎo)體物理學(xué)》(第七版)，劉恩科、朱秉升、羅晉生等著，電子工業(yè)出版社 2011年3月。