2017年哈爾濱工業(yè)大學半導體物理Ⅱ考研初試大綱

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《半導體物理》考試大綱

考試科目名稱：半導體物理Ⅱ 考試科目代碼：[829]

一、考試要求：

要求考生系統(tǒng)地掌握半導體物理的基本概念和基本原理，并能利用基本原理分析半導體的物理性能。要求考生對半導體的晶體結(jié)構(gòu)和能帶論、載流子統(tǒng)計分布、載流子輸運過程、p-n結(jié)理論、金屬-半導體接觸理論、半導體光電效應等基本原理有很好的掌握，并能熟練運用分析半導體的光電特性。

二、考試內(nèi)容：

1）半導體晶體結(jié)構(gòu)和能帶論
a:半導體晶格結(jié)構(gòu)及電子狀態(tài)和能帶
b:半導體中電子的運動
c:本征半導體的導電機構(gòu)
d:硅和鍺及常用化合物半導體的能帶結(jié)構(gòu)
2)雜質(zhì)半導體理論
a:硅和鍺晶體中的雜質(zhì)能級
b:常用化合物半導體中的雜質(zhì)能級
c:缺陷、位錯能級
3)載流子的統(tǒng)計分布
a:狀態(tài)密度與載流子的統(tǒng)計分布
b:本征與雜質(zhì)半導體的載流子濃度
c:一般情況下載流子統(tǒng)計分布
d:簡并半導體
4)半導體的導電性
a:載流子的漂移運動與散射機構(gòu)
b:遷移率、電阻率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
c:多能谷散射、耿氏效應
5)非平衡載流子
a:非平衡載流子的注入、復合與壽命
b:準費米能級
c:復合理論、陷阱效應
d:載流子的擴散、電流密度方程
e:連續(xù)性方程
6)p-n結(jié)理論
a:p-n結(jié)及其能帶圖
b:p-n結(jié)電流電壓特性
c:p-n結(jié)電容、p-n結(jié)隧道效應
7)金屬-半導體接觸理論
a:金-半接觸、能帶及整流理論
b:歐姆接觸
8)半導體光電效應
a:半導體的光學性質(zhì)（光吸收和光發(fā)射）
b:半導體的光電導效應
c:半導體的光生伏特效應
d:半導體發(fā)光二極管、光電二極管

三、試卷結(jié)構(gòu)：

a)考試時間：180分鐘，滿分：150分
b)題型結(jié)構(gòu)
a:概念及簡答題（60分）
b:論述題（90分）
c）內(nèi)容結(jié)構(gòu)
a:半導體晶體結(jié)構(gòu)和能帶論及雜質(zhì)半導體理論（30分）
b:載流子的統(tǒng)計分布（20分）
c:半導體的導電性（20分）
d:非平衡載流子（20分）
e:p-n結(jié)理論和金屬-半導體接觸理論(30分)
f:半導體光電效應(30分)

四、參考書目

1.劉恩科，朱秉升，羅晉升編著.半導體物理學.電子工業(yè)出版社,2011.03.
2.[美]施敏（S.M.Sze），半導體器件物理，電子工業(yè)出版社，1987.12.