碩士研究生入學考試大綱
考試科目名稱:半導體物理 考試科目代碼:[806]
一、考試要求:
全面系統地掌握半導體物理的基本概念、基本原理和物理過程,并能夠運用理論對實際問題進行分析和計算。
二、考試內容:
1)能帶論 a:半導體電子狀態和能帶 b:半導體電子的運動 c:本征半導體的導電機構 d:硅和鍺的能帶結構 2)雜質半導體理論 a:硅和鍺晶體中的雜質能級 b:缺陷、位錯能級 3)載流子的統計分布 a:狀態密度與載流子的統計分布 b:本征與雜質半導體的載流子濃度 c:一般情況下載流子統計分布 d:簡并半導體 4)半導體的導電性 a:載流子的漂移運動與散射運動 b:遷移率、電阻率與雜質濃度和溫度的關系 5)非平衡載流子 a:非平衡載流子的注入、復合與壽命 b:準費米能級 c:復合理論 d:陷阱效應 e:電流密度方程 f:連續性方程 6)p-n結理論 a:p-n結及其能帶圖 b:p-n結電流電壓特性 7)金屬-半導體接觸理論 a:金-半接觸、能帶及整流理論 b:歐姆接觸 8)半導體表面理論 a:表面態及表面電場效應 b:MIS結構電容-電壓特性 c:硅-二氧化硅系統的性質 d:表面電場對p-n結特性的影響 9)半導體光電效應 a:半導體的光學常數和光吸收 b:半導體的光電導效應 c:半導體的光生伏特效應 d:半導體發光和半導體激光
三、試卷結構:
a)考試時間:180分鐘,滿分:150分 b)題型結構 a:概念簡答題(30分) b:論述題(60分) c:理論推導及應用計算題(60分)
四、參考書目
1.劉恩科,半導體物理學(第四版),國防工業出版社 2.劉曉為等,固態電子論,電子工業出版社
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