太陽能光伏產(chǎn)業(yè)：半導(dǎo)體硅材料基礎(chǔ)（尹建華）
- 所屬分類：
- 作者：
尹建華，李志偉 主編
- 出版社：
化學(xué)工業(yè)出版社
- ISBN：9787122055231
- 出版日期：2009-7-1
-
原價(jià)：
￥29.00元
現(xiàn)價(jià)：￥22.00元
-
本書信息由合作網(wǎng)站提供，請前往以下網(wǎng)站購買：
圖書簡介
本書系統(tǒng)地介紹了半導(dǎo)體硅材料的基本性質(zhì)、與半導(dǎo)體晶體材料相關(guān)的晶體幾何學(xué)、能帶理論、微電子學(xué)方面的基礎(chǔ)理論知識，系統(tǒng)地介紹了作為光伏技術(shù)應(yīng)用的硅材料的制備基礎(chǔ)理論知識，為系統(tǒng)學(xué)習(xí)多晶硅生產(chǎn)技術(shù)和單晶硅及硅片加工技術(shù)奠定理論基礎(chǔ)，是硅材料技術(shù)專業(yè)的核心教材。
本書可作為高職高專硅材料技術(shù)及光伏專業(yè)的教材，同時(shí)也可作為中專、技校和從事單晶硅生產(chǎn)的企業(yè)員工的培訓(xùn)教材，還可供相關(guān)專業(yè)工程技術(shù)人員學(xué)習(xí)參考。
目錄
第1章 概論
1.1 硅材料工業(yè)的發(fā)展
1.2 半導(dǎo)體市場及發(fā)展
1.3 中國擴(kuò)建新建多晶硅廠應(yīng)注意的問題
本章小結(jié)
習(xí)題
第2章 半導(dǎo)體材料基本性質(zhì)
2.1 半導(dǎo)體材料的分類及性質(zhì)
2.2 硅的物理化學(xué)性質(zhì)
2.3 硅材料的純度及多晶硅標(biāo)準(zhǔn)
本章小結(jié)
習(xí)題
第3章 晶體幾何學(xué)基礎(chǔ)
3.1 晶體結(jié)構(gòu)
3.2 晶向指數(shù)
3.3 晶面指數(shù)
3.4 立方晶體
3.5 金剛石和硅晶體結(jié)構(gòu)
3.6 倒格子
本章小結(jié)
習(xí)題
第4章 晶體缺陷
4.1 點(diǎn)缺陷
4.2 線缺陷
4.3 面缺陷
4.4 體缺陷
本章小結(jié)
習(xí)題
第5章 能帶理論基礎(chǔ)
5.1 能帶理論的引入
5.2 半導(dǎo)體中的載流子
5.3 雜質(zhì)能級
5.4 缺陷能級
5.5 直接能隙與間接能隙
5.6 熱平衡下的載流子
本章小結(jié)
習(xí)題
第6章 p-n結(jié)
6.1 p-n結(jié)的形成
6.2 p-n結(jié)的制備
6.3 p-n結(jié)的能帶結(jié)構(gòu)
6.4 p-n結(jié)的特性
本章小結(jié)
習(xí)題
第7章 金屬-半導(dǎo)體接觸和MIS結(jié)構(gòu)
7.1 金屬-半導(dǎo)體接觸
7.2 歐姆接觸
7.3 金屬-絕緣層-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)（MIS）
本章小結(jié)
習(xí)題
第8章 多晶硅材料的制取
8.1 冶金級硅材料的制取
8.2 高純多晶硅的制取
8.3 太陽能級多晶硅的制取
本章小結(jié)
習(xí)題
第9章 單晶硅的制備
9.1 結(jié)晶學(xué)基礎(chǔ)
9.2 晶核的形成
9.3 區(qū)熔法
9.4 直拉法
9.5 雜質(zhì)分凝和氧污染
9.6 直拉硅中的碳
9.7 直拉硅中的金屬雜質(zhì)
9.8 磁拉法（MCz）
9.9 CCz法（連續(xù)加料法）
本章小結(jié)
習(xí)題
第10章 其他形態(tài)的硅材料
10.1 鑄造多晶硅
10.2 帶狀硅材料
10.3 非晶硅薄膜
10.4 多晶硅薄膜
本章小結(jié)
習(xí)題
第11章 化合物半導(dǎo)體材料
11.1 化合物半導(dǎo)體材料特性
11.2 砷化鎵（GaAs）
本章小結(jié)
習(xí)題
第12章 硅材料的加工
12.1 切去頭尾
12.2 外徑滾磨
12.3 磨定位面（槽）
12.4 切片
12.5 倒角（或稱圓邊）
12.6 研磨
12.7 腐蝕
12.8 拋光
12.9 清洗
本章小結(jié)
習(xí)題
附錄
附錄1 常用物理量
附錄2 一些雜質(zhì)元素在硅中的平衡分凝系數(shù)、溶解度
參考文獻(xiàn)
