天津大學(xué)微電子學(xué)院（校內(nèi)）2017年考研調(diào)劑信息

2025考研復(fù)試標(biāo)準(zhǔn)班

2025考研復(fù)試特訓(xùn)班【1v1個(gè)性批改+模擬面試+聽(tīng)口糾音】

根據(jù)我校研究生錄取工作整體安排，為了方便考生適時(shí)選擇調(diào)劑專業(yè)。我院擬進(jìn)行第二批校內(nèi)調(diào)劑，如下：

一、擬調(diào)劑專業(yè)：

二、復(fù)試方式：

調(diào)用考生報(bào)考學(xué)院參加的專業(yè)課筆試、實(shí)驗(yàn)?zāi)芰�測(cè)試、外語(yǔ)聽(tīng)說(shuō)能力測(cè)試成績(jī)(考生可到微電子學(xué)院研究生教務(wù)員云老師出領(lǐng)取調(diào)用成績(jī)申請(qǐng)單，至報(bào)考學(xué)院研究生教務(wù)員田老師處提交申請(qǐng)，調(diào)用上述3項(xiàng)成績(jī)，并加蓋報(bào)考學(xué)院公章。提交至微電子學(xué)院26樓D-215云老師處)。學(xué)院加試基礎(chǔ)素質(zhì)考核、綜合能力考核、思想政治考核環(huán)節(jié)。

考生最后總成績(jī)計(jì)算方式為：

考生總成績(jī)=(初試總成績(jī)÷2.5)×60% +復(fù)試總成績(jī)×40%

三、錄取原則：

1、按照總成績(jī)分專業(yè)錄取，先進(jìn)行電磁場(chǎng)與微波技術(shù)錄取，未被錄取考生如調(diào)劑第二志愿填報(bào)集成電路工程(全日制)，則自動(dòng)進(jìn)入集成電路工程(全日制)調(diào)劑申請(qǐng)序列。

2、若考生在申請(qǐng)調(diào)劑后被第一志愿報(bào)考專業(yè)錄取，則本次調(diào)劑申請(qǐng)自動(dòng)作廢。

四、調(diào)劑報(bào)名登記：

達(dá)到2017年天津大學(xué)碩士研究生入學(xué)考試初試進(jìn)入復(fù)試基本分?jǐn)?shù)要求的考生可申請(qǐng)調(diào)劑，請(qǐng)有意申請(qǐng)校內(nèi)調(diào)劑的考生，請(qǐng)于21日晚19:00前到微電子學(xué)院院辦(26樓D-215)進(jìn)行信息登記，即可22日參加學(xué)院基礎(chǔ)素質(zhì)考核、綜合能力考核、思想政治考核測(cè)試，其中，申請(qǐng)調(diào)用報(bào)考學(xué)院復(fù)試的專業(yè)課筆試、實(shí)驗(yàn)?zāi)芰�測(cè)試、外語(yǔ)聽(tīng)說(shuō)能力測(cè)試成績(jī)?cè)?3日16：30之前辦理完畢即可。待考生復(fù)試成績(jī)公布后，可以補(bǔ)交由轉(zhuǎn)出學(xué)院蓋章簽字的調(diào)劑申請(qǐng)表(考生可填寫(xiě)調(diào)劑申請(qǐng)表，至報(bào)考學(xué)院研究生教務(wù)員王老師處(26樓E-222)辦理調(diào)劑事宜) 。

五、復(fù)試安排：

1.時(shí)間：3月22日上午8:30

2.地點(diǎn)：

基礎(chǔ)素質(zhì)考核(26-D-360)

綜合能力考核(26-D-231)

思想政治考核(26-D-212)

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