中科院新疆理化技術(shù)研究所

中科院新疆理化所研究生導(dǎo)師陸嫵介紹如下：

陸嫵，女，漢族，九三社員，理學(xué)碩士，中國科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所研究員，博士生導(dǎo)師，新疆大學(xué)兼職教授；中國電子學(xué)會可靠性分會委員；新疆核學(xué)會理事；2011年，芬蘭Aalto大學(xué)微納電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院高級訪學(xué)者

主要研究領(lǐng)域以及成就：

長期從事微電子器件和模擬電路的總劑量輻射效應(yīng)、損傷機(jī)理、評估方法及抗輻射加固技術(shù)的研究，先后主持并承擔(dān)該領(lǐng)域國家863、國家重點(diǎn)自然科學(xué)基金等研究課題30余項(xiàng)；發(fā)表學(xué)術(shù)論文160余篇。其中，被SCI收錄33篇，EI收錄102篇；曾獲得中科院科技進(jìn)步一、三等獎各1項(xiàng)；新疆維吾爾自治區(qū)科技進(jìn)步一等獎2項(xiàng)，二、三等獎各1項(xiàng)；已培養(yǎng)博士研究生8人，碩士研究生17人。

主要榮譽(yù)：

曾榮獲新疆自治區(qū)“優(yōu)秀碩士論文指導(dǎo)教師”(2013年）、中國科學(xué)院“朱李月華優(yōu)秀教師” (2012年）、九三學(xué)社“全國優(yōu)秀社員”(2012年）、新疆自治區(qū)“優(yōu)秀博士論文指導(dǎo)教師”(2011年）、新疆自治區(qū)“優(yōu)秀碩士論文指導(dǎo)教師”(2010年）、新疆自治區(qū)直屬機(jī)關(guān)“巾幗建功標(biāo)兵”(2009年）等榮譽(yù)稱號。

代表性文章：

１. Li Xiaolong, Lu Wu*, Ma Wuying, et.al, Use of Temperature-Switching Approach to Evaluate the ELDRS, RADECS 2016, in Bremen, Germany

2. Xin Wang, Wu Lu* Wu-Ying Ma, et.al, Radiation Resistance of Fluorine-Implanted PNP Using Gated-Controlled Lateral PNP Transistor Structure CHIN. PHYS. LETT. 2016,33(8): 086101-1-3

3. Mo-Han Liu, Wu Lu*, Wu-Ying Ma, et.al, Total ionizing dose e?ects of domestic SiGe HBTs under di?erent dose rates, Chinese Physics C 2016,40(3): 036003-1-5

4. Wu Xue, Lu Wu*, Li Yudong, et.al, TID effect in 12-bit 125 MSPS Pipe-Line Analog-to-Digital Converter. Journal of Senmiconductors. 2014, 35(4):044008-1-5.

5.WU Xue, LU Wu* Wang Xin ,et.al, Influence of channel length and layout on TID for 0.18μm NMOS transistors, NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2013,24(6): 060202-1-6

6.Deng Wei, Lu Wu* ,Guo Qi, et.al,“An Accelerated Evaluation Method for ELDRS of Bipolar Linear Regulators Using Ladder Temperature Irradiation Experiment”, 2013 IEEE NSS/MIC/RTSD, in Seoul, Korea.

7.Zheng Yuzhan Lu Wu* Ren Diyuan, “Accelerated Evaluating the ELDRS of Bipolar Operational Amplifiers by Using Temperature Swithing Approach”,RADECS 2013, in Oxford, UK,

8.Wang Xin，Lu Wu*, Guo Qi，et.al，Total ionizing dose effects on 12-bit CBCMOS digital-to-analog converters，Journal of Semiconductors，2013, 34(12):124006-1-7.

研究領(lǐng)域：物理學(xué)類其他專業(yè)