云南大學(xué)

楊宇，1967年1月出生于貴州興仁，二級(jí)教授，博士生導(dǎo)師，云南省中青年學(xué)術(shù)技術(shù)帶頭人，云南大學(xué)科學(xué)技術(shù)處處長(zhǎng)，云南大學(xué)工程技術(shù)研究院光電信息材料研究所所長(zhǎng)。兼任中國(guó)儀器儀表功能材料學(xué)會(huì)常務(wù)理事、中國(guó)半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)委員會(huì)委員、云南省高等學(xué)校學(xué)術(shù)委員會(huì)委員、科技部863通訊評(píng)審專(zhuān)家委員會(huì)委員、云南省發(fā)明學(xué)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、云南省高校科研管理學(xué)會(huì)理事長(zhǎng)、九三學(xué)社云南大學(xué)副主任委員。任《材料導(dǎo)報(bào)》、《紅外技術(shù)》、《功能材料》、《人工晶體學(xué)報(bào)》、《功能材料信息》等雜志編委會(huì)委員。
主要從事半導(dǎo)體薄膜光電材料與器件研究，先后主持完成中國(guó)博士后基金、云南省自然科學(xué)基金面上與重點(diǎn)項(xiàng)目、國(guó)家自然科學(xué)基金研究項(xiàng)目等十余項(xiàng)。在國(guó)內(nèi)外重要學(xué)術(shù)刊物發(fā)表論文160多篇，SCI、EI收錄80余篇；獲國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利10項(xiàng)。

聯(lián)系電話：65033824； 電子郵件：yuyang@ynu.edu.cn

主要研究工作經(jīng)歷：

2008/7 – 至今，云南大學(xué)科技處/光電信息材料研究所，處長(zhǎng)、所長(zhǎng)/教授

2006/12 – 2008/02，哈佛大學(xué)工程與應(yīng)用科學(xué)學(xué)院應(yīng)用物理，訪問(wèn)學(xué)者

1997/08 – 2006/11，云南大學(xué)物理系 / 材料系/化工材料學(xué)院 / 工程技術(shù)研究院，教授、系主任、副院長(zhǎng)

1995/08 – 1997/07，中國(guó)科學(xué)院上海冶金研究所，材料科學(xué)與工程，博士后

1992/08 – 1995/07，復(fù)旦大學(xué)物理系 凝聚態(tài)物理，博士

1991/04 – 1992/07，昆明物理研究所 超導(dǎo)器件物理，工程師

1988/08 – 1991/03，中國(guó)科技大學(xué)、中科院等離子物理所，等離子體物理，碩士

主要研究方向：

1：薄膜光電材料

2：無(wú)機(jī)/有機(jī)界面光電材料與器件

3：量子點(diǎn)材料

4：半導(dǎo)體物理與器件

獎(jiǎng)勵(lì)及榮譽(yù)稱(chēng)號(hào)：

1997年 獲上海市博士后論文報(bào)告優(yōu)秀獎(jiǎng)

1998年 獲首屆云南省青年科技獎(jiǎng)

2001年 獲“云南省中青年學(xué)術(shù)與技術(shù)帶頭人”稱(chēng)號(hào)

2001年 獲第七屆中國(guó)青年科技獎(jiǎng)

2003年 獲云南省科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)三等獎(jiǎng)（自然科學(xué)類(lèi)，排名第一）

2011年 獲云南省科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)二等獎(jiǎng)（自然科學(xué)類(lèi)，排名第一）

2012年 獲“十一五”期間全國(guó)高校科技管理先進(jìn)個(gè)人

近5年代表成果（均為通訊作者的12篇代表論文及2項(xiàng)專(zhuān)利）：

[1] Yu Yang*, Jiming Bao, Cong Wang, Micheal Aziz, “Sub-bandgap luminescence centers in silicon created by ion implantation and annealing”, J. Appl. Phys., Vol. 107, 123109-114, 2010
[2] Jie Yang, Yingxia Jin, Chong Wang, Liang Li, Dongping Tao, and Yu Yang*, “Evolution of self-assembled Ge/Si island grown by ion beam sputtering deposition”, Applied Surface Science, Vol. 258, 3637-3642, 2012
[3] 楊杰，王茺，靳映霞，李亮，陶東平，楊宇*，“離子束濺射Ge量子點(diǎn)的應(yīng)變調(diào)制生長(zhǎng)”，物理學(xué)報(bào)，第61卷， 016804，2012
[4] Y. Yang*, J. M. Bao, et al, “Observation on photoluminescence evolution in 300 KeV self-ion implanted and annealed silicon”, Materials Technology, Vol. 27, 130-132, 2012
[5]楊宇*，等 “Ge/Si量子點(diǎn)濺射生長(zhǎng)的研究進(jìn)展”，2012 年功能材料科技與產(chǎn)業(yè)高層論壇，大會(huì)特邀報(bào)告
[6]楊宇*，楊杰，靳映霞，王茺，“硅離子注入Si晶片發(fā)光研究”, 人工晶體材料，第41卷，270-274，2012.
[7]楊宇*，王茺，李亮，楊杰，韋冬，“Si離子自注入硅晶體不同系列發(fā)光中心的研究”，第七屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議，35-40頁(yè)，大會(huì)報(bào)告，2010
[8]楊洲，王茺，王洪濤，胡偉達(dá)，楊宇*，“Ge組分對(duì)應(yīng)變Si1-xGex溝道p-MOSFET電學(xué)特性影響”，物理學(xué)報(bào)，第 60卷，077102，2011
[9]張學(xué)貴，王茺，魯植全，楊杰，李亮，楊宇*，“離子束濺射自組裝Ge/Si納米薄膜生長(zhǎng)的演變”，物理學(xué)報(bào)，第 60卷， 096101，2011
[10]Yang Yu, Wang Cong，et al, Photoluminescence evolution in self-ion implanted and annealed silicon，Chinese Physics B, Vol. 18, 4906~4911 (2009)
[11]楊宇，硅缺陷發(fā)光的研究概況，功能材料信息，高層論壇 Vol. 6, 12~14 (2009)
[12]楊宇，王茺，硅基低維紅外探測(cè)薄膜材料的研究概況，材料導(dǎo)報(bào)，Vol. 23, 5~12 (2009)
[13]楊宇，王茺等，緩沖層填埋斷續(xù)生長(zhǎng)高均勻尺寸Ge量子點(diǎn)的方法，2011，中國(guó)，ZL 2010 1 0181934.1
[14]楊宇，王茺等，離子束濺射生長(zhǎng)高密度細(xì)小自組織Ge量子點(diǎn)的方法，2010，中國(guó)，ZL 2009 1 0163239