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832微電子器件考試大綱
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發(fā)表于
樓主
一、總體要求
主要考察學(xué)生掌握“微電子器件”的基本知識、基本理論的情況，以及用這些基本知識和基本理論分析問題和解決問題的能力。 二、內(nèi)容 1．半導(dǎo)體器件基本方程 1）半導(dǎo)體器件基本方程的物理意義 2）一維形式的半導(dǎo)體器件基本方程 3）基本方程的主要簡化形式 2．PN結(jié) 1）突變結(jié)與線性緩變結(jié)的定義 2）PN結(jié)空間電荷區(qū)的形成 3）耗盡近似與中性近似 4）耗盡區(qū)寬度、內(nèi)建電場與內(nèi)建電勢的計算 5）正向及反向電壓下PN結(jié)中的載流子運動情況 6）PN結(jié)的能帶圖 7）PN結(jié)的少子分布圖 8) PN結(jié)的直流伏安特性 9）PN結(jié)反向飽和電流的計算及影響因素 10）薄基區(qū)二極管的特點 11）大注入效應(yīng) 12）PN結(jié)雪崩擊穿的機理、雪崩擊穿電壓的計算及影響因素、齊納擊穿的機理及特點、熱擊穿的機理 13）PN結(jié)勢壘電容與擴散電容的定義、計算與特點 14）PN結(jié)的交流小信號參數(shù)與等效電路 15）PN結(jié)的開關(guān)特性與少子存儲效應(yīng) 3．雙極型晶體管 1）雙極型晶體管在四種工作狀態(tài)下的少子分布圖與能帶圖 2）基區(qū)輸運系數(shù)與發(fā)射結(jié)注入效率的定義及計算 3）共基極與共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)的定義及計算 4）基區(qū)渡越時間的概念及計算 5）緩變基區(qū)晶體管的特點 6）小電流時電流放大系數(shù)的下降 7）發(fā)射區(qū)重摻雜效應(yīng) 8）晶體管的直流電流電壓方程、晶體管的直流輸出特性曲線圖 9）基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng) 10）晶體管各種反向電流的定義與測量 11）晶體管各種擊穿電壓的定義與測量、基區(qū)穿通效應(yīng) 12）方塊電阻的概念及計算 13）晶體管的小信號參數(shù) 14）晶體管的電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系、組成晶體管信號延遲時間的四個主要時間常數(shù)、高頻晶體管特征頻率的定義、計算與測量、影響特征頻率的主要因素 15）高頻晶體管最大功率增益與最高振蕩頻率的定義與計算，影響功率增益的主要因素 4．絕緣柵場效應(yīng)晶體管（MOSFET） 1）MOSFET的類型與基本結(jié)構(gòu) 2）MOSFET的工作原理 3）MOSFET閾電壓的定義、計算與測量、影響閾電壓的各種因素、閾電壓的襯底偏置效應(yīng) 4）MOSFET在非飽和區(qū)的簡化的直流電流電壓方程 5）MOSFET的飽和漏源電壓與飽和漏極電流的定義與計算 6）MOSFET的直流輸出特性曲線圖 7）MOSFET的有效溝道長度調(diào)制效應(yīng) 8）MOSFET的直流參數(shù)及其溫度特性 9）MOSFET的各種擊穿電壓 10）MOSFET的小信號參數(shù) 11）MOSFET跨導(dǎo)的定義與計算、影響跨導(dǎo)的各種因素 12）MOSFET的高頻等效電路及其頻率特性 13）MOSFET的主要寄生參數(shù) 14）MOSFET的最高工作頻率的定義與計算、影響最高工作頻率的主要因素 15）MOSFET的短溝道效應(yīng)以及克服短溝道效應(yīng)的措施 三、題型及分值 填空題（45分） 簡述題（60分） 計算題（45分） |
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